Изотипы slg-дол гожи ву щи х клеток памяти были исследованы в нескольких лабораториях. Согласно общепринятому мнению, предшественником IgG-АОК среди долгоживущих примированных В-клеток является IgG-популяция [89]. Кроме того, sIgM+IgG+-nonyflH4HH клеток памяти может давать АОК, продуцирующие и IgM, и IgG [92]. Среди фенотипов Ig, обнаруженных в прими-рованных популяциях, имеется sIgD+; такие клетки, вероятно, несут также и поверхностные IgG [89, 90].В ряде экспериментов с длительно культивируемыми примированными клетками сравнивали способность определенного числа клеток давать вторичный IgM- или IgG-ответ. Данные, касающиеся относительного вклада каждой из субпопуляций в общий ответ, весьма разрозненны. Юан и др. [92] обнаружили, что две трети вторичного IgG-ответа определяются ^0+-клетками, а оставшаяся одна треть — клетками, несущими и IgM, и IgG, или клетками, имеющими на своей поверхности IgD. С помощью метода селезеночных колоний Тил и др. [57] показали, что примерно половина общего вторичного ответа зависит от ^М+-клеток, около одной трети — от slgM^gG^ntuieTOK, а оставшаяся часть — от slgM"IgG "-клеток. Ни в одной из этих работ не был прямо оценен вклад клеток, несущих slgD. Однако Коффман и Кон [93] продемонстрировали» что одновременное удаление slgG* и sIgD+ из популяции В-клеток памяти защищает значительную часть этих клеток от радиоактивного самоубийства после повторного добавления антигена, тогда как одни aHTH-IgG-антитела защищают лишь около двух третей клеток. Следовательно, sIgD+-MeTKH могут вносить вклад во вторичный IgG-ответ.
Зан-Бар и др. [94] сообщили, что sIgD^-клетки представляют собой суб-популяцию клеток памяти, способных генерировать дополнительные клетки памяти в ответ на антигенную стимуляцию. Эта гипотеза прямо противоречит данным Блэка и др. [95], согласно которым за размножение клеток памяти отве-чает sIgD "-субпопуляция.